基于CH17体系较低的Eloss是由于其独特的分子堆积增强了CT态和LE态之间的杂化，元调使得CT态具有更高的发光效率，使得非辐射复合损失（Vnr）得以减小。

（f）与其他低于50纳米的短沟道2DFET相比，千瓦该研究的弹道2DInSeFET的SS与ID。时新市居吸附情况：Y原子被吸收在InSe表面的中空位点（ads-H）顶部和In原子（ads-In）顶部。

疆阿价统2020年于北京大学信息科学技术学院取得理学博士学位。民生（c）在一些有代表性的报告中对总电阻与载流子密度ns进行基准测试。个人获何梁何利基金科学与技术进步奖（2018年）、活用全国创新争先奖（2017年）、活用推动北京创造的十大科技人物（2015年）、全国优秀博士学位论文指导教师（2009年）、北京大学首届十佳导师（2013年）等荣誉。

红星是该研究代表性的10nm沟道长度弹道InSeFET的总电阻，电电虚线是使用Landauer公式计算的InSeFETs的理论极限。（f-h）与硅FET相比，元调该研究的弹道2DInSeFET的VDD、栅极延迟和EDP的缩放趋势。

千瓦Y原子取代In原子和Se原子。

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